FDS6675

单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，14mΩ

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CAD模型

概览

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

特性

-11 A，-30 V。 R_DS(ON) = 0.014 W @ V_GS = -10 V，R_DS(ON) = 0.020 W @ V_GS = -4.5 V。
低栅极电荷（典型值30 nC）。
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
高功率和高电流处理能力。

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS6675

Obsolete

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

-30

7.8

P-Channel

Single

-3

-11

2.5

3000

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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