N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V,2A,236mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench® 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Load Switch
  • Primary Switch
  • VGS = 10 V,ID = 2 A时,最大rDS(on) = 236 mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 1.7 A时,最大rDS(on) = 329 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDT86246

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Y

150

236

N-Channel

Single

±20

4

2

2.2

-

-

-

1.7

161

$0.415

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