FDV304P: P 沟道,数字 FET,-25V,-0.46A,1.1Ω

Datasheet: Digital FET, P-Channel
Rev. 5 (270kB)
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此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计,如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能,即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。
特性
 
  • -25V、-0.46A(连续值)、-1.5A(峰值) RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V,RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
  • 栅极驱动电平要求极低,从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
  • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
  • 紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
STR-NCP164A-WDFN6-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCP164A Adjustable LDO, WDFN6 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, DFNW8 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-TSOP5-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, TSOP5 Package Evaluation Board
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDV304P Active
Pb-free
Halide free
FDV304P SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000 $0.0532
FDV304P-F169 Last Shipments
Pb-free
Halide free
FDV304P SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000  
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Avnet   (2020-08-19 00:00) : >100K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 78,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDV304P  
 $0.0532 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Single
-25
-8
-1.5
-0.46
0.35
1500
1100
-
-
1.1
63
SOT-23-3
外形
318-08   
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