FQA8N100C

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-3P

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

应用

不间断电源
其他工业

特性

8 A、1000 V、R_DS(on) = 1.45 Ω（最大值），需 V_GS = 10 V、I_D = 4 A栅极电荷低（典型值：53nC)
低 C_rss（典型值16pF)
100% 经过雪崩击穿测试
100% avalanche tested

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQA8N100C

Active

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

1000

1450

N-Channel

Single

±30

225

2475

$2.7111

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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