FQB47P06

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，D2PAK

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此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

应用

其他数据处理

特性

-47A, -60V, R_DS(on) = 26mΩ（最大值）@V_GS = -10 V, I_D = -23.5A栅极电荷低（典型值：84nC)
低 C_rss（典型值320pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C最大结温额定值"
175°C maximum junction temperature rating

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQB47P06TM-AM002

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

-60

P-Channel

Single

±25

-4

-47

160

2800

$1.5285

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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