FQD12N20L

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

应用

LED 电视
CRT/RPTV
AC-DC商用电源-服务器和工作站
工作站
服务器和大型机

特性

9A, 200V, R_DS(on) = 280mΩ（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 4.5A栅极电荷低（典型值：16nC)
低 C_rss（典型值17pF）
100% 经过雪崩击穿测试
低电平栅极驱动要求允许从逻辑驱动器直接运行
Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD12N20LTM

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

200

280

N-Channel

Single

±30

320

830

$0.3072

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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