FQD13N10

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，10 A，180 mΩ，DPAK

相似产品推荐

产品

向销售发送邮件

添加至我的收藏

数据表

CAD模型

概览

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

应用

LCD 电视
LED 电视
照明
其他工业

特性

10A, 100V, R_DS(on) = 180mΩ（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 5A栅极电荷低（典型值：12nC)
低 C_rss（典型值20pF)
100% 经过雪崩击穿测试
100% avalanche tested

物质成分

产品更改通知

产品列表

如需购买产品或样品，请先登录您的安森美账号。

搜寻

产品:

排序方式

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD13N10TM

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

100

180

N-Channel

Single

±25

345

$0.3192

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

名字*

Please provide a first name.

姓氏*

Please provide a last name.

公司*

Please provide a company/university name.

Please provide a valid email.

企业邮箱*

国家/地区*

Please choose a country.

职位*

Please choose a job title.

电话

我们销售团队有什么能帮到您的设计吗?

Please provide a how could we help you.

我同意我所提供的信息可按照安森美隐私政策和使用条款被使用。

You have to agree with the privacy policy.

Hello, your current browser settings are preventing us from processing your submission. You can adjust your browser settings and reload the page or you can submit an email directly to inside.sales@onsemi.com

You might also try the following:

Clear your browser cookies
Try to open this page in anonymous browser window
Try a different browser
Make sure you have reliable internet connection

MOSFETs | FQD13N10

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，10 A，180 mΩ，DPAK

概览

产品列表

向销售发送邮件