FQT4N20L

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，0.85 A，1.4 Ω，SOT-223

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

应用

LED 电视
照明

特性

0.85A, 200V, R_DS(on) = 1.35Ω（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 0.425A栅极电荷低（典型值：4nC)
低 C_rss（典型值6pF)
100% 经过雪崩击穿测试
低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动运行。
Low level gate drive requirments allowingdirect operationfrom logic drives

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQT4N20LTF

Active

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

200

1350

N-Channel

Single

±30

0.85

2.2

1400

240

$0.2767

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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