高压MOSFET | FCH041N65F_F085

N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V，76A，34mΩ

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFETII 非常适用于软开关和件开关拓扑结构，如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压 PFC 、HEV-EV 汽车升压 PFC。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能无需附加组件，可提高系统可靠性。

  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DC converter for HEV
  • 典型值 RDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V、ID = 38 A
    ）
  • 典型值 Qg(tot) = 234 nC（VGS = 10 V、ID = 38 A
    ）
  • UIS 能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准

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Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FCH041N65F-F085

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P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

41

±20

5

76

595

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234

10200

90

2000

10529

227

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Equivalent to wafer fab process: 3A

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3A

26

7287033440

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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