Name: Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET ® II, FAST, 600 V, 22 A, 170 mΩ, TO-220
Brand: Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET ® II, FAST, 600 V, 22 A, 170 mΩ, TO-220
SKU: FCP170N60

N 沟道 SuperFET^® MOSFET 600 V，22 A，170 mΩ

Last Shipments

数据表

购买

联系销售

概览

SuperFET^® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

特性

T_J = 150°C 时为 650 V
典型值 R_DS(on) = 150 mΩ
超低栅极电荷（典型值 Q_g = 42 nC)
低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 190 pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

工具和资源

与FCP170N60相关的产品服务、工具和其他资源

CAD模型

物质成分

产品更改通知

可靠性数据

产品参数及购买信息

搜寻

产品:

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

参考价格

FCP170N60

联系销售

Last Shipments

TO-220-3

340AT

TUBE

800

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

Single

600

170

DC: ±20, AC: ±30

3.5

227

2150

6200

2.65

Price N/A

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。

联系销售

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

7287033440

High Voltage MOSFETs | FCP170N60

N 沟道 SuperFET® MOSFET 600 V，22 A，170 mΩ

概览

工具和资源

产品参数及购买信息

N 沟道 SuperFET^® MOSFET 600 V，22 A，170 mΩ