High Voltage MOSFETs | FDD5N50F

N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET

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UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

  • RDS(on) = 1.25Ω（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 1.75 A
  • 低栅极电荷（典型值 11 nC)
  • 低Crss（典型值 5 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDD5N50FTM-WS

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Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

1550

5

5

3.5

40

-

-

-

11

490

5

1800

66

5

$0.3668

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Device: FDD5N50FTM-WS

Equivalent to wafer fab process: 3C

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3C

0

2817481193

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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