高压MOSFET | FDD7N60NZ
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，5.5 A，1.25 Ω，DPAK
已停产
概览
UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- RDS(on) = 1.05Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.75A栅极电荷低（典型值：13nC)
- 低 Crss（典型值7pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 改进了 ESD 防护能力
- 符合 RoHS 标准
- RoHS compliant
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