功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,500 V,3 A,2.5 Ω,IPAK

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UniFET II MOSFET 是基于安森美半导体先进的平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻,同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2 kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • LCD / LED TV
  • Lighting
  • Charger / Adapter
  • RDS(on) = 2.1 Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.25 A
  • Low Gate Charge (Typ. 6.2 nC)
  • Low Crss (Typ. 2.5 pF)
  • 100% Avalanche Tested
  • Improved dv/dt Capability
  • ESD Improved Capability
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

NA

0

TUBE

5040

No

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

2500

25

5

2.5

40

-

-

-

6.2

-

-

-

-

-

Price N/A

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