N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 8.0A, 1.9Ω

已停产

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该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

  • 台式计算机
  • AC-DC商用电源-台式计算机
  • 8A, 900V, RDS(on) = 1.9Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低(典型值:35nC)
  • 低 Crss(典型值12pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS compliant

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FQA8N90C-F109

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-3P-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

900

1900

±30

5

8

240

-

-

-

35

1600

14

5800

130

12

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