功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,2.8 A,2.5 Ω,DPAK

概览

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 照明
  • 2.8A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.4A栅极电荷低(典型值:15nC)
  • 低 Crss(典型值6.5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS compliant

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FQD5N60CTM

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

2500

±30

4

2.8

49

-

-

-

15

515

6.6

2200

55

6.5

$0.5079

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