High Voltage MOSFETs | FQP12N60C
概览
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
- 12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
- 低栅极电荷（典型值 48 nC)
- 低 Crss（典型值 21 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
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