功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,500 V,12.5 A,430 mΩ,TO-220

Last Shipments

概览

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 其他工业
  • 12.5A, 500V, RDS(on) = 430mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 6.25A栅极电荷低(典型值:45nC)
  • 低 Crss(典型值25pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 100% avalanche tested

工具和资源

与FQP13N50相关的产品服务、工具和其他资源

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

430

±30

5

12.5

170

-

-

-

45

1800

22

2600

245

25

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持,查询或者对比产品细节。