高压MOSFET | FQP6N70

700V，N 沟道 QFET®

已停产

数据表

购买

概览

此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高能效开关模式电源。

  • 6.2 A, 700V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V
  • Low gate charge ( typical 30 nC)
  • Low Crss ( typical 15 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

工具和资源

与FQP6N70相关的产品服务、工具和其他资源

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FQP6N70

联系销售

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

High Voltage

Standard

0

Single

0

700

1500

±30

5

6.2

142

-

-

-

30

1100

13

2700

125

15

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。