High Voltage MOSFETs | FQT1N80

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，0.2 A，20 Ω，SOT-223

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 照明
  • 0.2A, 800V, RDS(on) = 15.5Ω（典型值）@VGS = 10 V, ID = 0.1A栅极电荷低（典型值：5.5nC)
  • 低 Crss（典型值2.7pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS compliant

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FQT1N80TF-WS

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

260

REEL

4000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

High Voltage

Standard

0

Single

0

800

20000

±30

5

0.2

2.1

-

-

-

5.5

150

3.3

600

20

2.7

$0.3868

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Device: FQT1N80TF-WS

Equivalent to wafer fab process: 3D

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3D

10

2342695283

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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