功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,650 V,20 A,190 mΩ,TO-220

概览

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。

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  • LCD / LED TV
  • LED Lighting / Ballast
  • Adapter
  • 700 V @ TJ = 150 °C
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 316 pF)
  • Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
  • Optimized Capacitance
  • RoHS Compliant
  • 100% Avalanche Tested
  • Typ. RDS(on) = 161 mΩ

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

NTP190N65S3HF

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220-3

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

190

30

5

20

162

-

-

-

34

-

-

264

-

-

$1.9869

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