Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB7030BL

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，60A，9mΩ

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此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 60 A，30 V
  • RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 在高温下指定的临界DC电气参数
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 175°C最高结温额定值

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MSL Type

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Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

9

20

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