Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB8443

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ

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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 182A, 3mΩ

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  • RDS(on) = 2.3mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A
  • QG(tot) = 142nC（典型值）
  • 低米勒电荷，QGD = 32nC（典型值）
  • UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDB8443

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

40

3

±20

4

182

188

-

-

-

142

9310

32

48

800

510

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Device: FDB8443

Equivalent to wafer fab process: T5

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T5

0

1870813094

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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