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Low/Medium Voltage MOSFETs | FDB86102LZ
概览
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- AC-DC商用电源
- VGS = 10 V且ID = 8.3A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 4.5 V且ID = 6.8 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ
- HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
- 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
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FDB86102LZ
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Pb
A
H
P
D2PAK-3 / TO-263-2
1
245
REEL
800
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
D2PAK
Low-Medium Voltage
Logic
0
Single
0
100
24
±20
3
30
3.1
-
35
-
7.6
959
2.5
40
181
9
$0.6936
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