Low/Medium Voltage MOSFETs | FDD16AN08_F085

N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ

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N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ

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  • rDS(ON) = 13mΩ （典型值），VGS = 10 V，ID = 50 A
  • Qg (tot)= 31nC（典型值），VGS = 10V
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr体二极管
  • UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDD16AN08A0-F085

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

75

16

±20

4

50

135

-

-

-

31

1874

7.2

31

290

91

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Device: FDD16AN08A0-F085

Equivalent to wafer fab process: 2C

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2C

0

3942797527

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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