60 V、37 A、18 mΩ、DPAK、逻辑电平
N 沟道 PowerTrench®

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N-Channel Logic Level Trench® MOSFET, 60V, 36A, 27mΩ

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  • RDS(on) = 22mΩ(典型值)(VGS = 5V, ID = 29A)
  • VGS = 5V时,典型Qg(5) = 13nC
  • 低密勒电荷
  • 低 Qrr体二极管
  • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合 AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准

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1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDD5810-F085

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-252-3

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

22

±20

2

36

72

-

29

12.2

24

1420

5

35

150

65

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