Low/Medium Voltage MOSFETs | FDD86113LZ
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 消费型设备
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on) = 104 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.2 A
- Max rDS(on) = 156 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A
- HBM SD Protection Level > 6 kV typical (Note 4)
- High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
- High Power and Current Handling Capability in a widely used surface mount package
- 100% UIL Tested
- RoHS Compliant
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