Low/Medium Voltage MOSFETs | FDD8870_F085

30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAK
N 沟道 PowerTrench®

Obsolete

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此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

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  • rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
  • rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDD8870-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

3.9

20

2.5

160

160

-

4.4

18

91

5160

-

-

-

-

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