Low/Medium Voltage MOSFETs | FDFMA2P853
概览
此器件专门设计作为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- -3.0 A，-20V。
- RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 240 mΩ（VGS = -1.8 V时）
肖特基：
VF < 0.46 V (500 mA) - 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
- 符合 RoHS 标准
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