双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

量产中

概览

此器件在一个双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q1: N-Channel
    MAX rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 A
    Max rDS(on) = 13.3 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 9 A
  • Q2: N-Channel
    MAX rDS(on) = 6.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 16 A
    Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 15 A
  • RoHS Compliant

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDMC007N30D

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

30

7

12

3

Q1: 10.0, Q2: 16.0

Q1: 1.9 , Q2: 2.5

-

7

35

11

1685

-

-

-

-

$0.3212

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