25V N沟道PowerTrench® MOSFET

Obsolete

概览

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

  • 服务器

  • VGS = 10V,ID = 16.7 A时,最大rDS(on) = 5.0mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 13.6 A时,最大rDS(on) = 7.5mΩ
  • 一流的开关性能
  • 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
  • 屏蔽栅极技术降低了开关模式振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
  • 夹片焊接技术进一步降低了导通电阻和源电感
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

25

5

20

2.5

49

52

-

7.5

24

9.5

1348

-

-

-

-

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