N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,43A,14mΩ

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用,如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。

  • DC-DC商用电源
  • 扩展额定 TJ 至 175°C
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 14 mΩ(VGS = 10 V, ID = 9 A
    时)
  • 最大值 rDS(on) = 23 mΩ(VGS = 6 V, ID = 7 A
    时)
  • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
    "

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDMC86160ET100

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

14

±20

4

43

65

-

-

-

9.8

968

3.5

45

241

11

$1.029

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