Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC86184

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 mΩ

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此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 21 A
    ）
  • 最大值 rDS(on) = 24.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时
    ）
  • 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
  • 降低了开关噪声/EMI
  • MSL1 强健封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FDMC86184

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AW

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T8

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

100

8.5

±20

4

57

54

-

-

-

14

1490

4.6

96

906

13

$1.0104

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Device: FDMC86184

Equivalent to wafer fab process: HVFET

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

HVFET

21

49137887952

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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