Low/Medium Voltage MOSFETs | FDME410NZT

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，7A，26mΩ

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此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.5 V。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = 4.5 V，ID = 7 A时，最大rDS(on)
    = 26mΩ
  • 最大值 rDS(on) = 31 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 6 A
    ）
  • 最大值 rDS(on) = 39 mΩ（VGS = 1.8 V, ID= 5 A
    ）
  • 最大值 rDS(on) = 53 mΩ（VGS = 1.5 V, ID = 4A
    ）
  • 薄型：0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM 静电放电保护等级为>1800V（注 3）
  • 符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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CAD Model

Pb

A

H

P

UDFN-6

517DV

1

260

REEL

5000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

20

-

8

1

7

2.1

31

26

8.5

9.2

770

-

-

-

-

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