Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS8018
概览
此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
- 消费电子
- VGS = -10 V，ID = -30 A时，最大值rDS(on) = 1.8 mΩ
- VGS = 4.5 V且ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.4 mΩ
- 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
- 新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
- MSL1耐用封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
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