Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS8570SDC

25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

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此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小RDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

  • 服务器
  • Dual Cool™ PQFN封装
  • 在VGS = 10 V且ID = 28 A时，最大值RDS(on) = 2.8 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 25 A时，最大值RDS(on) = 3.3 mΩ
  • 高性能技术可实现极低的RDS(ON)
  • SyncFET™ 肖特基体二极管
  • 符合RoHS标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDMS8570SDC

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483BK

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 Dual Cool

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

25

2.8

12

2.2

60

59

-

3.3

24

22

2825

-

-

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