Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS86255

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，45A，12.4mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
    时）
  • 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
    时）
  • 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
  • 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDMS86255

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量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AG

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

150

12.4

±20

4

45

113

-

-

-

29

3200

8.8

165

291

11

$1.9763

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Device: FDMS86255

Equivalent to wafer fab process: T7

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T7

11

6716497626

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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