Low/Medium Voltage MOSFETs | FDPC8016S
概览
此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET™ (Q2) 可提供最佳功率效率。
- Computing
- Communications
- General Purpose Point of Load
- Q1：N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 3.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 20 A）
- 最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 18 A）Q2：N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 1.4 mΩ（VGS = 10 V, ID = 35 A）
- 最大值 rDS(on) = 1.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 32 A）
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