N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,60V,21A,25mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • 消费型设备
  • LED 电视
  • RDS(on) = 20mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 21A
  • RDS(on) = 23mΩ(典型值)@ VGS = 5V, ID = 17A
  • 低栅极电荷(典型值23.2nC)
  • Low Crss (典型值)64pF)
  • 快速开关
  • 100%经过雪崩测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDPF320N06L

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

NA

0

TUBE

1000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

25

±20

2.5

21

26

-

38

-

12.7

1105

6.3

23

115

64

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