Low/Medium Voltage MOSFETs | FQB34P10
概览
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
- Solar / UPS
- Audio / ATX
- Ballast
- 低 Crss（典型值170pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175°C最大结温额定值"
- 175°C maximum junction temperature rating
- -33.5A, -100V, RDS(on) = 60mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -16.75A栅极电荷低（典型值：85nC)
Buy/Parametrics Table
搜寻
Close Search
产品:
1
分享
排序方式
产品系列:
┗
可订购器件:
1
产品
FQB34P10TM
Active
Pb
A
H
P
D2PAK-3 / TO-263-2
1
245
REEL
800
Y
P-Channel
PowerTrench® T1
D2PAK
Low-Medium Voltage
Standard
0
Single
0
-100
60
±30
-4
-33.5
155
-
-
-
85
2240
45
880
730
170
$1.4069
More Details
Show More
1-25 of 25
Products per page
Jump to :
1
Support on the go
Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.
Contact Sales
