Low/Medium Voltage MOSFETs | MTP23P06V

功率 MOSFET，23 A，60 V

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此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Pb-Free Package is Available

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

MTP23P06V

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

221A

NA

0

TUBE

50

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P-Channel

PowerTrench® T1

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Low-Medium Voltage

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15

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MTP23P06VG

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Pb

A

H

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TO-220-3

221A

1

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TUBE

50

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

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Single

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