中低压MOSFET | NTMTS0D4N04CL

单 N 沟道功率 MOSFET 40V，553.8A，0.4mΩ，PQFN 8x8

量产中

相似产品推荐

数据表

购买

概览

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。

工具和资源

与NTMTS0D4N04CL相关的产品服务、工具和其他资源

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

可靠性数据

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

NTMTS0D4N04CLTXG

联系销售

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

DFNW-8

507AP

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 88

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

40

0.4

20

2.5

553.8

5

-

0.64

163

341

20600

52.1

336

9500

709

$1.7703

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。

可靠性数据

Die Related Summary Data

Device: NTMTS0D4N04CLTXG

Equivalent to wafer fab process: TRENCH FET

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

TRENCH FET

10

28017909861

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

重新搜寻