中低压MOSFET | RFD16N05SM

N 沟道，功率 MOSFET，50V，16A，47mΩ

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RFD16N05 和 RFD16N05SM N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09771。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 16A, 50V
  • rDS(ON)= 0.047Ω
  • 温度补偿式PSPICE模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 175°C工作温度
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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

RFD16N05SM9A

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量产中

View__CAD

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

50

47

±20

4

16

72

-

-

-

77

900

-

-

325

100

$0.5393

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Device: RFD16N05SM9A

Equivalent to wafer fab process: U2

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

U2

1

4110087345

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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