N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,11A,107mΩ

Last Shipments

概览

此类 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用最新的制造工艺技术生产。此工艺使用的特征尺寸接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接在集成电路中运行。以前的开发类型为TA49158。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机

  • 11A,60V
  • rDS(ON)= 0.107Ω
  • 温度补偿式PSPICE®模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 相关文献

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to RFD3055LE

Buy/Parametrics Table

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

NA

0

TUBE

1800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

-

±16

3

11

38

-

107

-

5.2

350

-

-

105

23

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.