Small Signal MOSFETs | FDS9958_F085

双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ

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此类 P 沟道逻辑电平指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和功率、电池充电电路和保护电路。

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  • 最大值 rDS(on) = 105 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.9 A
    ）
  • 最大值 rDS(on) = 135 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A
    ）
  • 符合 AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS9958-F085

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Obsolete

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-60

Q1=Q2=105

±20

-3

-2.9

2

-

Q1=Q2=135

-

16

765

3

21

90

40

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Device: FDS9958-F085

Equivalent to wafer fab process: TR

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

TR

1

1603286882

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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