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By Technology
Small Signal MOSFETs | FDC5661N_F085
概览
N 沟道，PowerTrench® MOSFET， 逻辑电平，60V，4A，60mΩ
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- RDS(on) = 47 mO（VGS = 10 V、ID = 4.3 A）
- VGS = 4.5V，ID = 4A时，RDS(on) = 60mO
- Qg(tot) = 14.5nC （典型值），VGS = 10V
- 低米勒电荷
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
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FDC5661N-F085
Active
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Single
0
60
47
±20
3
4
1.6
-
60
0.22
14.5
763
2.9
10
68
36
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