P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4.9A,42mΩ

Active

概览

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用:负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 最大 rDS(on)=42mΩ(VGS=-10 V、ID=-4.9 A)
  • 最大 rDS(on)=75 mΩ(VGS=-4.5 V、ID=-3.7 A)
  • 低栅极电荷(典型值17 nC)。
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
  • SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准 SO-8 小 72%);薄型(1 mm 厚)。
  • 符合 RoHS 标准

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDC610PZ

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

42

25

-3

-4.9

1.6

-

75

10.5

9

755

-

-

-

-

$0.1653

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.