方案
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Small Signal MOSFETs | FDC6320C
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此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件的设计专门针对低压应用进行改进，可替代负载开关应用中的双极数字晶体管。由于无需偏置电阻，因此该双数字 FET 可以替代若干带各种偏置电阻的数字晶体管。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- N-Ch 25 V，0.22 A，RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。
- P-Ch 25 V，-0.12 A，RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。
- 非常低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th) < 1.5 V。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
- 替代NPN & PNP数字晶体管。
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FDC6320C
Obsolete
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
N
Complementary
PowerTrench® T1
TSOT-23-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
±25
-
-8
1.5
N: 0.22, P: -0.12
0.9
NA
N: 5000, P:13000
-
0.23
NA
-
-
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