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Small Signal MOSFETs | FDC637AN
概览
此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 6.2 A，20 V。 RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V, RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V
- 快速开关速度。
- 低栅极电荷（10.5nC，典型值）。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
- SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
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H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Single
0
20
-
8
1.5
6.2
1.6
32
24
8
10.5
1125
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FDC637AN-NB5E023A
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