Small Signal MOSFETs | FDC6392S

-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

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FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -2.2A, -20V
  • RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
  • 低栅极电荷（3.7nC典型值）
  • 紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装
    肖特基：
  • VF < 0.45 V @ 1 A

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDC6392S

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419AG

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

12

-1.5

-2.2

0.96

NA

200

-

3.7

NA

-

-

-

-

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