N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20 V,2.2 A,70 mΩ

已停产

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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它非常适用于小型开关稳压器,在小型封装中提供极低的 RDS(ON) 和门极电荷 (Qg)。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = 4.5 V,ID = 2.2 A时,最大rDS(on) = 70mΩ
  • VGS = 2.5 V,ID = 2.0 A时,最大rDS(on)
    = 77 mΩ
  • VGS = 1.8 V,ID = 1.8 A时,最大rDS(on)
    = 87 mΩ
  • VGS = 1.5 V,ID = 1.5 A时,最大rDS(on)
    = 115 mΩ
  • HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷
  • 符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-88-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

20

-

8

1

2.2

0.42

NA

77

0.29

5.1

NA

-

-

-

-

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